专家信息：

赵有文，男，博士，现任中国科学院半导体研究所研究员，博士生导师。

主要从事磷化铟、锑化镓等化合物单晶材料生长技术、材料缺陷和材料在光电子和微电子器件上应用的研究。

教育经历： 

1996-08--1999-08   香港大学   理学博士

1986-09--1989-03   河北半导体研究所   工学硕士学位

1982-09--1986-07   兰州大学   理学学士学位

工作经历：

2000-03~2011-08,中国科学院半导体研究所, 研究员

1996-08~1999-08,香港大学, 理学博士

1989-03~1996-07,河北半导体研究所, 工程师

1986-09~1989-03,河北半导体研究所, 工学硕士学位

1982-09~1986-07,兰州大学, 理学学士学位

参与会议：

（1）C-H complex defects and their influnce in InAs single crystal   2017-10-08
　　

教学情况：

讲授课程：

半导体材料

招生专业：

080501-材料物理与化学

招生方向：

化合物半导体单晶材料生长

缺陷与杂质

材料物理

研究生培养：

培养研究生数十名。

科学研究：

主要研究领域：

宽禁带半导体ZnO和AlN单晶材料生长、缺陷和物性研究；冶金法提纯多晶硅技术及应用开发；高效太阳电池用低位错Ge单晶生长与缺陷控制；大直径InAs单晶生长及材料性质。

承担科研项目情况：

（ 1 ） 新型中长波红外探测器衬底GaSb和InAs单晶材料制备及应用, 主持, 市地级, 2018-03--2020-12

（ 2 ） 面向红外探测应用的GaSb单晶杂质、缺陷及物性研究, 主持, 国家级, 2015-01--2018-12

（ 3 ） 4-6英寸InP单晶VGF生长技术, 主持, 院级, 2017-03--2019-12

（ 4 ） 高质量GaSb单晶衬底加工技术及红外探测应用, 主持, 市地级, 2017-08--2018-12

（ 5 ） 磷化铟材料, 主持, 国家级, 2019-10--2022-09

（ 6 ） 高纯磷化铟多晶制备技术及晶园衬底制备, 主持, 院级, 2020-01--2020-12

主要学术成绩：

通过实验研究揭示了原生磷化铟材料中氢-铟空位复合体缺陷的形成规律以及与材料电学补偿和热生缺陷的关系。通过研究和比较纯磷和磷化铁气氛下高温退火处理磷化铟材料后产生的深能级缺陷，发现了与退火过程中原子扩散有关的缺陷产生与抑制现象并给出了物理解释。在此基础上证明这些深能级缺陷大部分与铟空位有关。同时掌握了抑制深能级缺陷产生、制备高质量半绝缘磷化铟材料的物理机理和技术途径。对影响晶体完整性的因素进行了全面的分析研究，包括微缺陷的成因、结构位错的形成原因以及所产生的晶格畸变、点缺陷对晶格完整性的影响等。这些研究成果有效促地进了高质量磷化铟等材料单晶生长技术和单晶衬底制备技术的提高。

1 化合物半导体晶体生长用高纯石英器件研发及产业化 濮阳坤;赵有文;张尧;陶明顿;庞海涛;李爱霞 连云港福东正佑照明电器有限公司 2017 

2 6英寸VGF法锗单晶片生产关键工艺技术研究 惠峰;李苏滨;柳廷龙;钟文;李雪峰;吕春富;董汝昆;肖祥江;赵有文;高永亮;董志远;赵燕;张丹;段鑫敏;李明宣 云南中科鑫圆晶体材料有限公司 2016  

3 以冷坩埚技术为寄出的光伏级多晶硅工业试验 董志远;赵有文;杨俊;王俊;段满龙;杨凤云;霍佃鑫;胡雪松;刘彤;罗龙 包头市山晟新能源有限责任公司 2012  

4 深紫外LED用AlGaN材料生长研究 王军喜;赵有文;刘喆;闫建昌;马平 中国科学院半导体研究所 2008  

5 半导体光电功能材料磷化铟、氮化镓和氧化锌的特性研究 许小亮;赵有文;施朝淑 中国科学技术大学 2003  

6 Ⅲ-Ⅴ族和Ⅱ-Ⅵ族半导体电学输运和发光特性的研究 许小亮;赵有文;施朝淑;刘洪图 中国科学技术大学 2003

制定标准：

1 太阳能电池用砷化镓单晶 被代替   GB/T 25075-2010 2026-08-25 国家标准

2 太阳能电池用砷化镓单晶及抛光片 现行   GB/T 35305-2026 2026-08-25 国家标准

3 LED外延芯片用砷化镓衬底 被代替   GB/T 30856-2014 2026-02-11 国家标准

4 LED外延芯片用砷化镓衬底 现行   GB/T 30856-2025 2026-02-11 国家标准

5 磷化铟多晶 现行   GB/T 36706-2018 2019-07-17 国家标准

6 LED外延芯片用磷化镓衬底 现行   GB/T 30855-2014 2015-04-30 国家标准

7 LED外延芯片用砷化镓衬底 现行  GB/T 30856-2014 2015-04-30 国家标准 

8 太阳能电池用砷化镓单晶 GB/T 25075-2010 2012-03-13 国家标准 

9 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 现行   GB/T 26070-2010 2012-03-13 国家标准

：发明专利

发明公开： 

[1]范江涛, 卢伟, 沈桂英, 赵有文, 刘刚, 李晨慧, 杨文文, 吕鑫雨, 摆易寒. 锑化铝单晶生长方法[P]. 北京市: CN120925063A, 2025-11-11.

[2]摆易寒, 沈桂英, 赵有文, 谢辉, 卢伟, 李晨慧, 杨文文, 吕鑫雨, 范江涛. 磷化铟单晶的制备方法以及磷化铟单晶[P]. 北京市: CN119776991A, 2025-04-08.

[3]刘京明, 杨俊, 卢伟, 王凤华, 谢辉, 沈桂英, 赵有文. 砷化铟晶体合成生长装置及方法[P]. 北京市: CN117071076A, 2023-11-17.

[4]冯银红, 沈桂英, 赵有文, 杨俊, 谢辉, 刘京明. 一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法[P]. 北京市: CN116380891A, 2023-07-04.

[5]刘丽杰, 赵有文, 王俊, 王应利, 杨俊, 卢伟, 刘京明, 卢超, 谢辉. 对砷化铟中III族铟和V族砷氧化物的检验方法及定量方法[P]. 北京市: CN116380959A, 2023-07-04.

[6]刘丽杰, 赵有文, 王俊, 王应利, 杨俊, 卢伟, 卢超. 一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法[P]. 北京市: CN115522263A, 2022-12-27.

[7]何建军, 沈桂英, 赵有文. 一种晶圆硅片机械减薄装置[P]. 江苏省: CN115284164A, 2022-11-04.

[8]何建军, 沈桂英, 赵有文. 一种超薄晶圆片放置板开孔装置[P]. 江苏省: CN115256519A, 2022-11-01.

[9]谢辉, 赵有文, 赵士强, 沈桂英, 刘京明, 王凤华. 锑化镓单晶表面的氧化层厚度的控制方法[P]. 北京市: CN114203526A, 2022-03-18.

[10]谢辉, 赵有文, 赵士强, 沈桂英, 刘京明, 王凤华. 锑化镓晶片湿法腐蚀方法[P]. 北京市: CN114108102A, 2022-03-01.

[11]刘丽杰, 赵有文, 段满龙, 刘鹏, 王书怡. 一种磷化铟晶片的清洗方法[P]. 广东省: CN113690128A, 2021-11-23.

[12]何建军, 赵有文, 沈桂英, 刘京明. 一种硅磷合金的制备方法[P]. 江苏省: CN113371714A, 2021-09-10.

[13]牛智川, 李农, 刘冰, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 赵有文, 朱小贵, 何胜. 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法[P]. 江苏省: CN113358677A, 2021-09-07.

[14]周媛, 赵有文, 谢辉, 杨俊, 沈桂英, 刘京明. 一种去除锑化镓单晶片残余应力的退火方法[P]. 北京市: CN112899790A, 2021-06-04.

[15]赵有文, 段满龙, 刘鹏, 卢伟, 杨俊, 刘京明, 谢辉. 一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法[P]. 广东省: CN111041550A, 2020-04-21.

[16]孙静, 赵有文, 谢辉, 沈桂英, 董志远, 刘京明, 周媛. 掺硫砷化铟体单晶片、其腐蚀方法及腐蚀剂[P]. 北京市: CN110965129A, 2020-04-07.

[17]赵有文, 沈桂英, 段满龙, 杨俊, 卢伟, 刘鹏. 基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置及晶体生长工艺[P]. 广东省: CN110952133A, 2020-04-03.

[18]段满龙, 赵有文, 杨俊, 刘京明, 卢伟. 一种晶体生长后的退火及脱锅方法以及晶体制备方法[P]. 广东省: CN110725008A, 2020-01-24.

[19]沈桂英, 赵有文, 孙静, 刘京明, 余丁, 谢辉. 砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法[P]. 北京市: CN110205681A, 2019-09-06.

[20]李雪峰, 赵有文. 改善晶片主定位边立面加工中出现缺陷的方法[P]. 广东省: CN109808085A, 2019-05-28.

[21]赵有文, 段满龙. 对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法[P]. 广东省: CN109629002A, 2019-04-16.

[22]刘京明, 赵有文. 一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法[P]. 广东省: CN109629003A, 2019-04-16.

[23]段满龙, 赵有文. 晶体生长的加热装置及生长装置[P]. 广东省: CN109594124A, 2019-04-09.

[24]谢辉, 赵有文. 一种晶体生长方法[P]. 广东省: CN109576776A, 2019-04-05.

[25]赵有文, 段满龙. 晶体生长用双层坩埚及晶体生长工艺[P]. 广东省: CN109576777A, 2019-04-05.

[26]余丁, 赵有文, 白永彪, 沈桂英, 董志远, 刘京明, 谢辉. 背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法[P]. 北京: CN108831933A, 2018-11-16.

[27]白永彪, 赵有文, 沈桂英, 董志远, 刘京明, 谢晖, 余丁. 籽晶保护装置及单晶生长方法[P]. 北京: CN108546986A, 2018-09-18.

[28]谢辉, 赵有文, 董志远, 刘京明. 一种提高半绝缘磷化铟单晶片电阻率均匀性的方法[P]. 北京: CN108486658A, 2018-09-04.

[29]谢辉, 赵有文, 董志远, 刘京明. 一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法[P]. 北京: CN108456928A, 2018-08-28.

[30]谢辉, 赵有文, 董志远, 刘京明. 一种降低半绝缘磷化铟单晶深能级补偿缺陷的方法[P]. 北京: CN108385167A, 2018-08-10.

[31]沈桂英, 赵有文, 白永彪, 刘京明, 谢辉. 一种制备P型锰掺杂的砷化铟单晶的方法[P]. 北京: CN108085744A, 2018-05-29.

[32]段满龙, 董志远, 赵有文, 杨俊. 一种磷化铟的合成方法及其合成装置[P]. 北京: CN107937984A, 2018-04-20.

[33]赵有文, 王俊, 董志远, 刘京明. 用于磷化铟晶片的下盘方法[P]. 北京: CN107910246A, 2018-04-13.

[34]赵有文, 董志远, 杨俊, 段满龙. 富铟磷化铟多晶料的循环利用方法[P]. 北京: CN107829141A, 2018-03-23.

[35]赵有文, 段满龙, 卢伟, 谢辉. 消除InP晶片微缺陷的方法[P]. 北京: CN107829142A, 2018-03-23.

[36]赵有文, 刘京明, 段满龙, 董志远, 刘刚. 一种晶片研磨装置[P]. 北京: CN107756232A, 2018-03-06.

[37]段满龙, 赵有文, 杨俊, 卢伟. 一种掺铁磷化铟单晶片的退火方法[P]. 北京: CN107675262A, 2018-02-09.

[38]苏杰, 刘彤, 刘京明, 赵有文. 采用闭管化学气相传输方式生长Ga₂O₃单晶的方法[P]. 北京: CN107400919A, 2017-11-28.

[39]陈晓玉, 赵有文. 太阳能电池减反钝化膜及其制备方法及太阳能电池片[P]. 北京: CN107068774A, 2017-08-18.

[40]杨翠柏, 赵有文, 段满龙, 杨光辉, 刘刚, 刘京明, 杨风云. 磷化铟晶锭切割(100)晶片的方法[P]. 广东: CN106863628A, 2017-06-20.

[41]杨翠柏, 赵有文, 段满龙, 陈丙振, 刘彤, 卢伟, 杨俊. 磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法[P]. 广东: CN106757360A, 2017-05-31.

[42]杨翠柏, 赵有文, 方聪, 王凤华, 董志远, 高永亮, 王俊. 熔区附加磁场装置及具有其的VGF单晶生长炉[P]. 北京: CN106498487A, 2017-03-15.

[43]陶明顿, 濮阳坤, 赵有文, 庞海涛, 张尧. 一种黄色石英管及其制备方法[P]. 江苏: CN106219970A, 2016-12-14.

[44]陶明顿, 濮阳坤, 赵有文, 庞海涛, 张尧. 一种灰色石英管及其制备方法[P]. 江苏: CN106219971A, 2016-12-14.

[45]陶明顿, 濮阳坤, 赵有文, 庞海涛, 张尧. 一种红色石英管及其制备方法[P]. 江苏: CN106219972A, 2016-12-14.

[46]赵有文, 段满龙, 尹朝蓉, 尹文斌, 孙勇. 一种棒状砷的制备方法[P]. 四川: CN106222452A, 2016-12-14.

[47]陶明顿, 濮阳坤, 赵有文, 庞海涛, 张尧. 一种紫色石英管及其制备方法[P]. 江苏: CN106186685A, 2016-12-07.

[48]刘京明, 刘彤, 董志远, 赵有文. 一种控制GaSb单晶衬底表面颗粒度的方法[P]. 北京: CN106119972A, 2016-11-16.

[49]刘京明, 刘彤, 董志远, 赵有文. 一种GaSb单晶衬底表面化学钝化的方法[P]. 北京: CN106057663A, 2016-10-26.

[50]庞海涛, 赵有文, 濮阳坤, 庄子柱, 王婧姝, 李骏. 石英连熔炉芯杆气压稳定装置[P]. 江苏: CN105923980A, 2016-09-07.

[51]刘京明, 刘彤, 杨俊, 董志远, 赵有文. 一种氮化铝单晶的位错腐蚀方法[P]. 北京: CN105483833A, 2016-04-13.

[52]刘彤, 杨俊, 刘京明, 董志远, 赵有文. 一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法[P]. 北京: CN105405746A, 2016-03-16.

[53]刘彤, 杨俊, 刘京明, 董志远, 赵有文. 一种锑化镓单晶抛光片腐蚀液[P]. 北京: CN105349290A, 2016-02-24.

[54]曹可慰, 赵有文. 偏[111]晶向锗单晶片位错显示用腐蚀液及腐蚀方法[P]. 北京: CN104862702A, 2015-08-26.

[55]董志远, 张周民, 霍佃鑫, 赵有文, 刘彤, 邹凯, 马承鸿, 倪海江, 王起发. 一种硅提纯工艺中去除硼的方法[P]. 内蒙古: CN104609426A, 2015-05-13.

[56]刘彤, 杨俊, 刘京明, 董志远, 赵有文. 一种气相法生长氮化铝晶体用原料的制备方法[P]. 北京: CN103643295A, 2014-03-19.

[57]刘京明, 刘彤, 杨俊, 董志远, 赵有文. 一种用于高温气相法晶体生长的TaC坩埚的制备方法[P]. 北京: CN103643305A, 2014-03-19.

[58]刘京明, 赵有文, 王凤华, 杨凤云. 降低衬底表面残留杂质浓度的方法[P]. 北京: CN103021833A, 2013-04-03.

[59]霍佃鑫, 董志远, 赵有文, 倪海江, 王起发, 马承鸿. 冷坩埚处理方法[P]. 内蒙古: CN102874815A, 2013-01-16.

[60]霍佃鑫, 董志远, 赵有文, 倪海江, 王起发. 用于冶金法提纯多晶硅的预处理方法[P]. 内蒙古: CN102862989A, 2013-01-09.

[61]谢辉, 赵有文. ZnO体单晶的Sb离子注入掺杂及退火激活方法[P]. 北京: CN102691108A, 2012-09-26.

[62]陈腾, 赵有文. 多晶硅碱性制绒方法[P]. 北京: CN102437044A, 2012-05-02.

[63]赵有文, 惠峰, 高永亮, 朱蓉辉. 半导体晶片精密化学机械抛光剂[P]. 云南: CN102234484A, 2011-11-09.

[64]惠峰, 赵有文, 朱蓉辉, 高永亮. 一种精密抛光晶片用有机物清洗液[P]. 云南: CN102234595A, 2011-11-09.

[65]惠峰, 赵有文, 朱蓉辉, 高永亮. 精密多线切割和研磨用切磨粉体材料[P]. 云南: CN102234500A, 2011-11-09.

[66]惠峰, 赵有文, 朱蓉辉. 多线切割载荷控制方法[P]. 云南: CN102233620A, 2011-11-09.

[67]占荣, 惠峰, 赵有文. 生长半绝缘砷化镓的石英管及在砷化镓中掺碳的方法[P]. 北京: CN101603208, 2009-12-16.

[68]董志远, 赵有文, 杨俊, 段满龙. 氧化锌体单晶生长过程中的直接掺杂方法[P]. 北京: CN101440516, 2009-05-27.

[69]董志远, 赵有文, 杨俊, 段满龙. 动态控制高温炉内压力的方法[P]. 北京: CN101440517, 2009-05-27.

[70]赵有文, 董志远, 段满龙, 魏学成. 闭管化学气相传输法生长ZnO单晶方法[P]. 北京: CN1978713, 2007-06-13.

[71]赵有文. 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法[P]. 北京: CN1499587, 2004-05-26.

[72]董宏伟, 赵有文, 杨子祥, 焦景华. 磷化铟单晶片的抛光工艺[P]. 北京: CN1402309, 2003-03-12.

发明授权： 

[1]冯银红, 沈桂英, 赵有文, 杨俊, 谢辉, 刘京明. 一种抛光后砷化铟晶片的亚表面损伤的腐蚀检测方法[P]. 北京市: CN116380891B, 2026-04-28.

[2]赵有文, 沈桂英, 段满龙, 杨俊, 卢伟, 刘鹏. 基于VGF法晶体生长用石英封帽、晶体生长装置及晶体生长工艺[P]. 广东省: CN110952133B, 2024-08-06.

[3]刘丽杰, 赵有文, 王俊, 王应利, 杨俊, 卢伟, 卢超. 一种控制砷化铟中Ⅲ族铟和Ⅴ族砷氧化物的方法[P]. 北京市: CN115522263B, 2024-06-07.

[4]赵有文, 段满龙. 磷化铟多晶水平合成装置及压力平衡控制方法[P]. 广东省: CN106757360B, 2023-10-03.

[5]何建军, 赵有文, 沈桂英, 刘京明. 一种硅磷合金的制备方法[P]. 江苏省: CN113371714B, 2023-09-19.

[6]谢辉, 赵有文, 赵士强, 沈桂英, 刘京明, 王凤华. 锑化镓晶片湿法腐蚀方法[P]. 北京市: CN114108102B, 2023-03-14.

[7]牛智川, 李农, 刘冰, 徐应强, 王国伟, 蒋洞微, 吴东海, 郝宏玥, 赵有文, 朱小贵, 何胜. 在GaSb衬底上生长InAs层的生长速度测定方法[P]. 江苏省: CN113358677B, 2022-09-02.

[8]赵有文, 段满龙, 刘鹏, 卢伟, 杨俊, 刘京明, 谢辉. 一种基于VGF法的气相掺杂的晶体生长方法[P]. 广东省: CN111041550B, 2021-10-12.

[9]刘京明, 赵有文. 一种低浓度P型磷化铟单晶的制备方法[P]. 广东省: CN109629003B, 2021-05-28.

[10]赵有文, 段满龙. 对VGF法生产的InP晶锭进行籽晶、引晶及结晶情况判定的方法[P]. 广东省: CN109629002B, 2021-03-16.

[11]沈桂英, 赵有文, 孙静, 刘京明, 余丁, 谢辉. 砷化铟单晶片位错腐蚀液及位错腐蚀检测方法[P]. 北京市: CN110205681B, 2020-12-15.

[12]谢辉, 赵有文, 董志远, 刘京明. 一种降低半绝缘磷化铟单晶掺铁浓度的方法[P]. 广东省: CN108456928B, 2020-09-22.

[13]白永彪, 赵有文, 沈桂英, 董志远, 刘京明, 谢晖, 余丁. 籽晶保护装置及单晶生长方法[P]. 北京市: CN108546986B, 2020-09-15.

[14]刘彤, 杨俊, 刘京明, 董志远, 赵有文. 一种锑化镓单晶抛光片的清洗方法[P]. 北京市: CN105405746B, 2020-09-11.

[15]余丁, 赵有文, 白永彪, 沈桂英, 董志远, 刘京明, 谢辉. 背表面场GaSb热光伏电池及其制备方法[P]. 北京市: CN108831933B, 2020-05-12.

[16]陶明顿, 濮阳坤, 赵有文, 庞海涛, 张尧. 一种紫色石英管及其制备方法[P]. 江苏省: CN106186685B, 2019-06-28.

[17]陶明顿, 濮阳坤, 赵有文, 庞海涛, 张尧. 一种黄色石英管及其制备方法[P]. 江苏省: CN106219970B, 2019-05-21.

[18]陶明顿, 濮阳坤, 赵有文, 庞海涛, 张尧. 一种灰色石英管及其制备方法[P]. 江苏省: CN106219971B, 2019-05-21.

[19]陶明顿, 濮阳坤, 赵有文, 庞海涛, 张尧. 一种红色石英管及其制备方法[P]. 江苏省: CN106219972B, 2019-05-21.

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实用新型： 

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[3]何建军, 沈桂英, 赵有文. 一种晶圆片微小颗粒清洗装置[P]. 江苏省: CN218424325U, 2023-02-03.

[4]何建军, 沈桂英, 赵有文. 一种砷化镓单晶的表面清洁装置[P]. 江苏省: CN218424409U, 2023-02-03.

[5]何建军, 沈桂英, 赵有文. 一种硅片生产加工清洗装置[P]. 江苏省: CN218014487U, 2022-12-13.

[6]何建军, 沈桂英, 赵有文. 一种晶圆片激光切割装置[P]. 江苏省: CN218016382U, 2022-12-13.

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[22]霍佃鑫, 董志远, 赵有文, 倪海江, 王起发. 磁选机[P]. 内蒙古: CN202921422U, 2013-05-08.

[23]霍佃鑫, 董志远, 赵有文. 用于块状多晶硅加热的电阻炉[P]. 内蒙古: CN202869204U, 2013-04-10.

[24]惠峰, 赵有文, 朱蓉辉, 高永亮. 双面抛光机[P]. 云南: CN201776693U, 2011-03-30.

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论文专著：

发表期刊论文：

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[25] 通过消除原生缺陷提高InAs单晶的透光率, Enhancement of below gap transmission of InAs single crystal via suppression of native defects, Mater. Res. Express, 2017, 通讯作者

[26]Bai Yong-Biao; Zhao You-Wen*; Shen Gui-Ying; Chen Xiao-Yu; Liu Jing-Ming; Xie Hui; Dong Zhi-Yuan; Yang Jun; Yang Feng-Yun; Wang Feng-Hua.N-type GaSb single crystals with high below-band gap transmission[J].Chinese Physics B,2017,26(10):446-449.通讯作者

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荣誉奖励：

（1） 磷化铟单晶缺陷, 二等奖, 省级, 2010

（2） InP和ZnO材料缺陷研究, 一等奖, 部委级, 2003

（3） 化合物半导体InP, 二等奖, 国家级, 2002

科学中国人报道：

潜心科研 再塑辉煌——记中国科学院半导体研究所赵有文研究员

他坚韧不拔,立志科研,意志颇似钢铁;他不遗余力,立足岗位,潜心技术创新;他满怀激情,斗志昂扬,贡献自身价值。这就是中国科学院半导体研究所研究员赵有文,他怀揣一颗坚定而滚烫的心,沿着自己的理想,跨越千沟万壑,矢志不渝,兢兢业业,在自身岗位上辛勤耕耘,攻克了一个又一个难题,?