“高质量第三代半导体材料关键技术”取得突破

日期：2018年03月20日 来源：科技部

第三代半导体材料是提升新一代信息技术核心竞争力的重要支撑，以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，因具备禁带宽度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速率高、抗辐射能力强等优越性能，是固态光源和电力电子、微波射频器件的“核芯”，在半导体照明、新一代移动通信、能源互联网、高速轨道交通、新能源汽车、消费类电子等领域有广阔的应用前景。近日，科技部高新司在北京组织专家组对“十二五”国家863计划新材料技术领域“高质量第三代半导体材料关键技术”主题项目进行了验收。

该项目突破了高质量6英寸4H-SiC单晶衬底、高质量4英寸GaN自支撑衬底、6-8英寸Si衬底上GaN基电子材料与器件、绿光发光器件用高In组分氮化物外延生长、深紫外发光器件用高Al组分氮化物外延生长等核心关键技术，完成了2英寸GaN自支撑衬底的规模化生产，实现了高Al组分AlGaN基深紫外光泵浦激射，开发了基于钙钛矿氧化物材料的紫外光电探测器件原型。项目为我国第三代半导体产业的发展奠定了坚实的基础，对支撑我国新一代信息技术、节能环保等产业发展以及国防建设具有重大意义。

“十三五”期间，为进一步推动我国材料领域科技创新和产业化发展，科技部制定了《“十三五”材料领域科技创新专项规划》，将“战略先进电子材料”列为发展重点之一，以第三代半导体材料与半导体照明、新型显示为核心，以大功率激光材料与器件、高端光电子与微电子材料为重点，推动跨界技术整合，抢占先进电子材料技术的制高点。